流片 中芯国际N+1工艺成功流片 告别光刻机的时代来了

据中关村在线相关报道称，芯动科技于11日宣布，已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次性测试通过。

据IT之家10月12日消息，据报道，N+1工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，不需要EUV掩模对准器。与14nm相比，该工艺的性能提升了20%，但与更先进的7nm相比，仍有部分差距。

以上消息一出，确实振奋人心，但是中芯国际的工艺其实并不是不需要光刻机，而是可以避开荷兰ASML公司EUV光刻机的技术封锁。N+1工艺的实现，正式宣布“国产版”7nm芯片制造技术完成突破。

中芯国际N+1工艺的芯片流片成功

近日，中关村在线、IT之家等网站报道，中国一站式IP和定制芯片企业信东科技基于SMIC N+1先进技术，完成了全球首个芯片流送和测试。

中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露，N+1工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机。据悉，该工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%；但是，与更先进的7nm所能提升的35%性能相比，还有进步空间。

《珠海特区报》第11期《突破“国产芯”是当务之急》在文章中提到，首款基于SMIC国际先进技术的芯片的成功芯片流片和测试，不仅意味着拥有自主知识产权的“中国芯”打破了国外垄断，也表明7nm工艺类似的“国产版”芯片的制造技术已经被打破。

这次的突破意义非同小可，整套工艺均采用全国产设备和技术完成，是破除国外技术封锁的一次跨越式发展。

中国厂商强强联手共同突破难关

说到SMIC，有些人可能会觉得陌生，它的名气没有SMIC响亮。信东科技有限公司成立于2006年，是一家高端混合电路芯片设计公司，拥有自己的全系列高带宽、高性能计算ip技术，多次填补了国内空在先进芯片技术方面的空白。

自 2019 年始，芯动科技在中芯国际N+1工艺尚待成熟的情况下，投入数千万元设计优化，率先完成了NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，近日终于助力中芯国际突破了N+1工艺良率瓶颈。

据相关媒体报道，2020年，信东科技还推出了中国标准INNOLINK Chiplet高性能计算平台，并在各种FinFET先进工艺上定制了多种芯片，全部实现了一次测量成功。

打造“中国芯”的未来，不正是需要中芯国际和芯动科技这类国内厂商强强联手，共同发展，共同突破技术难关吗？

N+1工艺下真的可以告别光刻机吗

需要注意的是，SMIC联合CEO梁孟松曾透露，N+1的过程不需要EUV口罩对准器就可以完成。这里不需要荷兰ASML公司的EUV面膜贴片机，完全不需要面膜贴片机。也就是说，可以用其他的掩膜版对准器来完成这个过程，而EUV掩膜版对准器制作的7nm芯片性能也差不多。

其实，据部分资料显示，台积电的7nm工艺也并非都有用到EUV光刻工艺。这里要提到台积电三次技术迭代，分别是：低功耗的N7、高性能的N7P、EUV工艺的N7+。N7和N7P都不需要使用EUV光刻机，只有在N7+之后才会转向EUV光刻工艺。也就是说，台积电只有到生产出如高通骁龙865、A14、麒麟990 5G等高端芯片阶段，才采用了7nm EUV的光刻工艺。所以，即使没有EUV光刻机，中芯国际同样可以进入7nm芯片的时代。

按照SMIC目前的工艺技术名称，N+1和N+2的工艺与TSMC的N7和N7P类似，不需要EUV掩模对准器，N+2之后才会使用EUV光刻。届时将通过国内和口罩对准器厂商的性能和技术突破来实现？还是SMIC在加工技术上又开了一条新路？这取决于制造商和科学家的研发进展。

篇末，再来一则好消息，据集微网13日报道，位于烟台恒邦化工产业园的恒邦高纯新材料项目即将进入带料试车阶段，年底，纯度达到7.5个9的高纯砷产品问世后，将打破中国高端半导体原材料长期由发达国家垄断的市场格局。

所以与其幻想告别口罩对准器时代，不如脚踏实地地加强国内厂商的合作，加快技术和材料领域的突破。只有这样，国产芯片才能进入国际高端行列。